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Etablissement Université de Tlemcen – Abou Bekr Belkaid Affiliation Département de Physique Auteur BERRICHI, Yamina Directeur de thèse GHAFFOUR

Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Tlemcen – Abou Bekr Belkaid
Affiliation
Département de Physique
Auteur
BERRICHI, Yamina
Directeur de thèse
GHAFFOUR Kherredine (Professeur)
Filière
Physique du solide : Semi –Conducteur
Diplôme
Doctorat
Titre
Modélisation des caractéristiques électroniques d’un transistor bipolaire à hétérojonction InP/InGaAs
Mots clés
transistor, hétérojonction, InP, InGaAs
Résumé
étant donné que notre but est de modéliser les caractéristiques électriques d’un transistor bipolaire à hétérojonctions (HBT) a base de matériaux InGaAs,
Statut
Validé

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