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Etablissement Université de Batna 2 – Mustafa Ben Boulaid Affiliation Département d’Electronique Auteur YOUSFI, Abderrahim Directeur de thèse

Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Batna 2 – Mustafa Ben Boulaid
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
YOUSFI, Abderrahim
Directeur de thèse
Djeffal, Fayçal (Docteur)
Filière
Electronique
Diplôme
Magister
Titre
Étude et modélisation de l’effet de la grille sur les performances électriques du transistor nanométrique à grille enrobée
Mots clés
transistor, grille, algorithmes génétiques
Résumé
Le premier chapitre de ce manuscrit a décrit les propriétés électriques et physiques des transistors MOSFETs, où nous avons vu que ces composants permettent de réduire les effets canaux courts en raison notamment de l’influence électrostatique. Dans le deuxième chapitre, nous avons présenté les déférents types et la technologie utilisée pour la réalisation des grilles des transistors MOSFETs à l’échelle fortement submicronique. Dans le troisième chapitre, nous avons exposé les principes de la méthode d’optimisation par les algorithmes génétiques qui se penchera sur les opérateurs génétiques, Dans le dernier chapitre, nous avons développé un modèle analytique optimisé du potentiel de surface , courant sous seuil , tension sous seuil et le facteur sous le seuil du transistor DMSG MOSFET en utilisant les techniques évolutionnaires (AG et MOGA)
Cote
M/620/142 /
Pagination
81 p.
Format
29 cm.
Notes
Bibliographie
Statut
Soutenue

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